NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT-143 (Surface Mount)  
- **Application**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF/UHF applications.  
- **Frequency Range**: Suitable for operation up to several GHz (exact maximum frequency depends on circuit conditions).  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 15V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: ~7GHz (typical)  
- **Noise Figure**: Low noise characteristics, making it suitable for RF front-end circuits.  

For exact performance curves or detailed operating conditions, refer to the official SIEMENS datasheet.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a transistor manufactured by PHI (Philips). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN RF Transistor  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 50mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 7GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (h_FE)**: 20-60  
- **Package**: SOT-143  

These are the factual specifications for the BFQ19 transistor from PHI.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a high-frequency NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN RF Transistor  
2. **Package**: SOT143B  
3. **Applications**: RF amplifiers, VHF/UHF applications  
4. **Frequency Range**: Up to 7 GHz  
5. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12 V  
6. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8 V  
7. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 1.5 V  
8. **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
9. **Power Dissipation (P_tot)**: 200 mW  
10. **Transition Frequency (f_T)**: 7 GHz (typical)  
11. **Noise Figure**: Low noise performance for RF applications  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a high-frequency NPN transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 8V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
- **Collector Current (IC)**: 30mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 8GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 2GHz)  
- **Gain (hFE)**: 40 (typical at 2mA)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is designed for high-frequency applications, such as RF amplifiers and oscillators.  

(Source: PHILIPS Semiconductors datasheet for BFQ19.)

NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 50mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 8GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 2GHz)  
- **Gain (h_FE)**: 40-120  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

NPN 5 GHz wideband transistor The BFQ19 is a transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN RF Transistor  
- **Application**: Designed for VHF/UHF amplifier and oscillator applications  
- **Package**: SOT143B (surface-mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 10V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 7GHz (typical)  
- **Noise Figure**: 1.3dB (typical at 1GHz)  
- **Gain (h_FE)**: 30–150  

These are the factual specifications for the BFQ19 transistor from PHILIPS.