NPN 4 GHz wideband transistor The BFQ18A is a transistor manufactured by PHI (Philips). Here are its specifications:

- **Type**: NPN RF Transistor
- **Material**: Silicon (Si)
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 10V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 50mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (h_FE)**: 20-60 (typical)
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)

These are the factual specifications for the BFQ18A transistor from PHI.

NPN 4 GHz wideband transistor The BFQ18A is a high-frequency NPN silicon RF transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT143B  
- **Frequency Range**: Up to 8 GHz  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 1.5 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 8 GHz  
- **Noise Figure**: Typically 1.5 dB at 2 GHz  
- **Gain (G_ma)**: Typically 13 dB at 2 GHz  
- **Applications**: RF amplifiers, oscillators, and microwave circuits  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.