RF-Bipolar The BFP620F (E7764) is a high-frequency NPN silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN SiGe HBT  
2. **Package**: SOT343 (SC-70)  
3. **Frequency Range**:  
   - Transition Frequency (fT): 50 GHz  
   - Maximum Oscillation Frequency (fmax): 70 GHz  
4. **Electrical Characteristics**:  
   - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 2.5 V  
   - Collector-Base Voltage (VCBO): 4.5 V  
   - Emitter-Base Voltage (VEBO): 1.8 V  
   - Collector Current (IC): 30 mA  
   - Power Dissipation (Ptot): 150 mW  
5. **Noise Figure**: 1.2 dB (typical at 2 GHz)  
6. **Gain**:  
   - Power Gain (Gms): 15 dB (typical at 2 GHz)  
7. **Applications**:  
   - Low-noise amplifiers (LNAs)  
   - RF and microwave circuits  
   - Wireless communication systems  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.