PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage) The BFN27 is a high-frequency NPN bipolar transistor manufactured by Infineon. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Transistor  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 8 GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.3 dB (typical at 2 GHz)  
- **Gain (h_FE)**: 40 (minimum)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BFN27 is optimized for high-frequency amplification in RF applications, such as mobile communications and microwave circuits.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application-specific parameters.)

PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage) The BFN27 is a component manufactured by Siemens. However, specific details about its specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate technical specifications, refer to Siemens' official documentation or datasheets.