NPN 9 GHz wideband transistor The BFG540W is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN RF Transistor  
- **Package**: SOT343 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 8 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
- **Collector Current (I_C)**: 50 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 9 GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.1 dB (typical at 1.8 GHz)  
- **Gain (G_ma)**: 15 dB (typical at 1.8 GHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This transistor is designed for RF amplification in applications such as mobile communications and other high-frequency circuits.