NPN 9GHz wideband transistor The BFG540 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by PHILIPS.  

Key specifications:  
- **Type**: N-channel RF MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 5GHz (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 0.8pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 0.3pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.05pF (typical)  
- **Package**: SOT143B  

This transistor is designed for RF amplification and switching applications in the UHF and microwave frequency ranges.  

(Note: PHILIPS Semiconductors is now part of NXP Semiconductors.)