NPN 2 GHz wideband transistor The BFG16A is a transistor manufactured by PHILIPS. It is an NPN silicon RF transistor designed for use in VHF/UHF applications. Key specifications include:  

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Frequency Range**: VHF/UHF  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 10V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 5GHz  
- **Noise Figure**: Typically low for RF applications  

The BFG16A is commonly used in RF amplifiers, oscillators, and other high-frequency circuits.  

(Note: PHILIPS semiconductors are now part of NXP Semiconductors, but the original specifications remain valid.)

NPN 2 GHz wideband transistor The BFG16A is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN RF Transistor  
- **Package**: SOT143B  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3 V  
- **Collector Current (I_C)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300 mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 7 GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2 dB (typical at 2 GHz)  
- **Gain (G_ma)**: 15 dB (typical at 2 GHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This transistor is designed for RF amplification applications, particularly in the microwave frequency range.