Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) The BF998 is a dual-gate N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: Dual-Gate N-Channel MOSFET
- **Package**: SOT-143 (4-pin)
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12 V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8 V
- **Drain Current (I_D)**: 30 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.5 V to -5 V (Gate 1), -0.5 V to -5 V (Gate 2)
- **Forward Transfer Admittance (Y_fs)**: 10 mS (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1.5 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.05 pF (typical)
- **Common Applications**: RF amplifiers, mixers, and VHF/UHF circuits.

For exact values, refer to the official Vishay datasheet.