N-channel dual-gate MOSFET The BF996S is a dual-gate MOSFET manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

1. **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
2. **Package**: SOT-143 (surface-mount)  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25V  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
5. **Drain Current (I_D)**: 30mA  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
7. **Input Capacitance (C_iss)**: 1.5pF (typical)  
8. **Forward Transfer Admittance (|Y_fs|)**: 15mS (typical at V_DS = 10V, f = 1kHz)  
9. **Applications**: RF amplification, mixer circuits, VHF/UHF applications  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

N-channel dual-gate MOSFET The BF996S is a dual-gate MOSFET transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Application**: RF amplification, mixer, and oscillator circuits  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 1.2GHz  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 0.35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.02pF (typical)  
- **Package**: SOT-143 (4-pin surface-mount package)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BF996S.

N-channel dual-gate MOSFET The BF996S is a dual-gate MOSFET transistor manufactured by NXP. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Package**: SOT-143  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8 V  
- **Drain Current (I_D)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300 mW  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Typical Applications**: RF amplification, mixing, and switching in VHF/UHF circuits  

These are the factual specifications provided by NXP for the BF996S.

N-channel dual-gate MOSFET The BF996S is a dual-gate MOSFET transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Package**: SOT-143  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 600MHz  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1.3pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 0.35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.03pF (typical)  

It is commonly used in RF amplification and mixer applications.