N-Channel Dual Gate MOS‐Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode The BF995 is a dual-gate MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Package**: SOT-143 (4-pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 1.2GHz (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1.5pF (typical)  
- **Feedback Capacitance (C_rss)**: 0.035pF (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 200MHz)  
- **Applications**: RF amplification, mixers, and VHF/UHF circuits  

These are the factual specifications provided in the Infineon datasheet for the BF995.