BF904WRManufacturer: PHI N-channel dual-gate MOSFET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| BF904WR | PHI | 153000 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel dual-gate MOSFET **Introduction to the BF904WR Transistor from Philips**  
The BF904WR is a high-frequency N-channel dual-gate MOSFET transistor designed for RF amplification and mixing applications. Manufactured by Philips, this component is widely used in communication systems, such as VHF and UHF receivers, due to its excellent gain, low noise, and strong linearity.   Featuring two independent gates, the BF904WR allows precise control over signal amplification, making it suitable for tuners and frequency converters. Its robust construction ensures reliable performance in demanding environments, while its low intermodulation distortion enhances signal clarity.   Key specifications include a high transition frequency (fT), low feedback capacitance, and a compact SOT143R package, which facilitates efficient PCB integration. Engineers often select this transistor for its stability and efficiency in RF circuits, where maintaining signal integrity is critical.   The BF904WR remains a preferred choice for designers seeking a balance between performance and cost-effectiveness in RF applications. Its compatibility with automated assembly processes further adds to its practicality in modern electronics manufacturing.   For detailed technical parameters, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in circuit designs. |
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