N-channel dual-gate MOSFET The part BF904AR is manufactured by PHILIPS. Here are its specifications:

- **Type**: NPN RF Transistor
- **Application**: Designed for RF amplification in VHF/UHF applications
- **Package**: SOT-23
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 12V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 8V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 30mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 900MHz)
- **Gain (hFE)**: 25-45 (typical)

These are the factual specifications for the BF904AR transistor from PHILIPS.

N-channel dual-gate MOSFET The part BF904AR is a dual N-channel RF MOSFET designed for high-frequency applications. Below are the key specifications from the manufacturer, NXP:

1. **Type**: Dual N-channel RF MOSFET  
2. **Package**: SOT143R (4-pin)  
3. **Frequency Range**: Suitable for VHF/UHF applications  
4. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12V  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
6. **Drain Current (I_D)**: 30mA per channel  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 200mW  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 0.8pF (typical)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 0.35pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.03pF (typical)  
11. **Noise Figure (NF)**: Low noise figure for RF amplification  
12. **Applications**: RF amplifiers, mixers, and oscillators in VHF/UHF bands  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.