N-channel dual gate MOS-FETs The part BF904 is manufactured by MOT. There are no specific manufacturer specifications provided in Ic-phoenix technical data files for this part.

N-channel dual gate MOS-FETs The part BF904 is a transistor manufactured by PHILIPS. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel RF MOSFET transistor  
2. **Package**: SOT23 (Surface-Mount Device)  
3. **Application**: Designed for VHF/UHF amplifier applications  
4. **Frequency Range**: Suitable for very high frequency (VHF) and ultra-high frequency (UHF) bands  
5. **Voltage Rating**:  
   - Drain-Source Voltage (V_DS): 12V  
   - Gate-Source Voltage (V_GS): ±8V  
6. **Current Rating**:  
   - Drain Current (I_D): 30mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 200mW  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
9. **Key Features**:  
   - Low noise figure  
   - High gain at VHF/UHF frequencies  

For exact performance characteristics, refer to the official PHILIPS datasheet.

N-channel dual gate MOS-FETs The part **BF904** is a **Silicon N-Channel Dual Gate MOS-FET** manufactured by **NXP/Philips**.  

### Key Specifications:  
- **Type:** RF Transistor  
- **Configuration:** Dual Gate  
- **Package:** SOT143 (4-pin)  
- **Applications:** VHF/UHF amplifier, mixer, and oscillator circuits  
- **Frequency Range:** Suitable for VHF/UHF applications  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 12V  
- **Drain Current (I_D):** 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Input Capacitance (C_iss):** ~1.5pF (typical)  
- **Forward Transfer Admittance (|Y_fs|):** ~20mS (typical)  

This transistor is designed for low-noise amplification and mixing in RF circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)