PNP high-voltage transistor The part BF872 is a PNP transistor manufactured by Siemens (SIE). Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -800 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250 MHz  
- **Gain Bandwidth Product**: High-frequency switching and amplification  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These specifications are based on Siemens' datasheet for the BF872 transistor.

PNP high-voltage transistor The part BF872 is manufactured by SIEMENS. However, specific details about its specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate technical specifications, refer to the official SIEMENS datasheet or product documentation.

PNP high-voltage transistor The BF872 is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 500MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 100MHz)  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BF872.