N-channel junction FET The BF862 is a N-channel dual-gate MOSFET manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Package**: SOT-143  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 1.2GHz  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1.8pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.08pF (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: 0.5dB (typical at 100MHz)  
- **Applications**: RF amplification, VHF/UHF circuits, mixers, and oscillators  

These are the factual specifications as provided by NXP/Philips.

N-channel junction FET The BF862 is an N-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by **PHILIPS** (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Maximum Continuous Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.3V to -1.5V  
- **Zero-Gate-Voltage Drain Current (I_DSS)**: 5mA to 15mA  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 8pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 3pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5pF (typical)  
- **Noise Figure (NF)**: Low noise, suitable for RF applications  
- **Package**: SOT23 (3-pin)  

The BF862 is commonly used in **high-frequency, low-noise amplifier circuits**, such as RF and audio applications.  

(Note: PHILIPS' semiconductor division became NXP Semiconductors, so newer datasheets may reference NXP.)