Key specifications:  
- **Type**: RF Transistor  
- **Material**: Silicon  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Ptot)**: 1 W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3 V  
- **Collector Current (IC)**: 0.1 A  
- **Transition Frequency (fT)**: 6000 MHz  
- **Gain (hFE)**: 10 (min) at IC = 10 mA, VCE = 5 V  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is designed for high-frequency applications, such as RF amplification.  

(Source: NXP/Philips datasheet for BF861B.)