Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BF820 is a transistor manufactured by PHILPS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN silicon transistor  
- **Application**: Designed for use in RF amplification and oscillator circuits  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V  
- **Collector Current (IC)**: 50mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz  
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 40-250 (depending on operating conditions)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on standard operating conditions.

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BF820 is a transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Darlington transistor  
- **Package**: SOT89  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 60V  
- **Collector Current (I_C)**: 1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: Min 1000 (typical Darlington configuration)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)