NPN 1 GHz wideband transistor The BF747 is a transistor manufactured by PHILIPS. Here are its specifications:

- **Type**: NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
- **Application**: General-purpose amplifier and switching
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40-250 (depending on operating conditions)
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)

These are the factual specifications of the BF747 transistor as provided by PHILIPS.

NPN 1 GHz wideband transistor The part BF747 is manufactured by PHI. No additional specifications about the part BF747 from PHI are provided in Ic-phoenix technical data files.