IC Phoenix logo

Home ›  B  › B17 > BF510

BF510 from NXP,NXP Semiconductors

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

BF510

Manufacturer: NXP

N-channel silicon FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BF510 NXP 3000 In Stock

Description and Introduction

N-channel silicon FET The BF510 is a part manufactured by NXP Semiconductors. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: NXP Semiconductors  
2. **Part Number**: BF510  
3. **Category**: RF Transistor  
4. **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
5. **Application**: RF Amplification  
6. **Frequency Range**: Up to 2.5 GHz  
7. **Voltage Rating (Vds)**: 12 V  
8. **Current Rating (Id)**: 100 mA  
9. **Power Dissipation (Pd)**: 200 mW  
10. **Gain (S21)**: Typically 10 dB at 900 MHz  
11. **Package**: SOT-343 (4-Pin)  
12. **Operating Temperature Range**: -40°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's official datasheet for the BF510. For detailed performance curves and additional parameters, refer to the manufacturer's documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BF510 NXP/PHILIPS 3000 In Stock

Description and Introduction

N-channel silicon FET The BF510 is a transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCB)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEB)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-250 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BF510 PHILIPS 96 In Stock

Description and Introduction

N-channel silicon FET The BF510 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -500mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 830mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BF510 transistor.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips