Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BF257 is a PNP transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 400 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  

These are the factual specifications provided by STMicroelectronics for the BF257 transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BF257 is a PNP transistor manufactured by Texas Instruments (TI). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -500mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = -10mA, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-92 (plastic package)

These are the standard specifications provided by TI for the BF257 transistor.