N-Channel RF Amplifier The BF245C is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-channel JFET  
2. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
3. **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: -30V  
4. **Maximum Drain Current (I_D)**: 25mA  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
6. **Gate-Source Cut-off Voltage (V_GS(off))**: -0.25V to -6.0V  
7. **Zero-Gate-Voltage Drain Current (I_DSS)**: 2mA to 20mA  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 5pF (typical)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 2pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.5pF (typical)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BF245C is commonly used in low-noise amplifier applications, switching circuits, and high-impedance signal processing.  

(Note: PHILIPS semiconductors are now part of NXP Semiconductors, but the original datasheet specifications remain valid.)

N-Channel RF Amplifier The BF245C is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** 30V  
- **Maximum Drain Current (I_D):** 10mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off)):** -0.5V to -6V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4.5pF (typical)  
- **Forward Transconductance (g_fs):** 2.5mS (minimum)  

### **Package:**  
- **TO-92** (Plastic Encapsulation)  

### **Applications:**  
- Low-noise amplifiers  
- Analog switches  
- Signal processing circuits  

This information is based on the datasheet provided by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).

N-Channel RF Amplifier The BF245C is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:

1. **Type**: N-channel JFET  
2. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
3. **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: 30V  
4. **Maximum Drain Current (I_D)**: 25mA  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
6. **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off))**: -0.5V to -8V  
7. **Zero-Gate-Voltage Drain Current (I_DSS)**: 2mA to 12mA  
8. **Forward Transfer Admittance (Y_fs)**: 3.5mS (min)  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 4.5pF (max)  
10. **Output Capacitance (C_oss)**: 1.8pF (max)  
11. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.8pF (max)  
12. **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

The BF245C is commonly used in low-noise amplifiers, switching circuits, and high-impedance applications.  

(Note: Always verify datasheets for precise values, as specifications may vary slightly.)