NPN power transistors The BD825 is a semiconductor component manufactured by Philips (now NXP Semiconductors). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Silicon Transistor  
2. **Package**: TO-39 Metal Can  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 45V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 1A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
9. **DC Current Gain (h_FE)**: 40-250 (depending on operating conditions)  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on Philips' historical datasheet for the BD825 transistor. For exact performance under specific conditions, refer to the original datasheet.