PNP Epitaxial Silicon Transistor The BD434S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SMG (Shanghai Mingji Electronics).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-400 (depending on operating conditions)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-126  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)