NPN switching transistors The BCY58VII is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by PHI (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP silicon planar epitaxial transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -0.5 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 0.6 W  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz (typical)  

The transistor is housed in a TO-92 package.  

(Source: PHI/Philips datasheet for BCY58VII)