PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) The BCW61 is a general-purpose NPN transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 630 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCW61 transistor.

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) The BCW61 is an NPN transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:  

- **Transistor Type**: NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 330mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–630  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCW61 transistor.