NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The BCW60D is a general-purpose NPN transistor manufactured by Vishay. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
3. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 45V  
4. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BCW60D transistor.

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The BCW60D is an NPN silicon planar epitaxial transistor manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 630 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

Applications include general-purpose amplification and switching.  

(Source: NXP Semiconductors datasheet for BCW60D.)

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The BCW60D is a general-purpose NPN transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 630 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCW60D transistor.

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The BCW60D is a general-purpose NPN transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–630 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BCW60D transistor.

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The BCW60D is a general-purpose NPN transistor manufactured by DIOTEC. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 630 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BCW60D is commonly used in amplification and switching applications.