Digital Transistors The BCR191S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP transistor  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60 V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60 V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: -1 A  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 2 W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCR191S.