MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT The BCP68T1 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Motorola. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg)**: -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = 100mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Package**: SOT-223 (SC-73)  

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BCP68T1 transistor.