MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT The BCP53T1 is a PNP transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-223 (SC-73)  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -80 V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80 V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
6. **Collector Current (IC)**: -1 A (continuous)  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 1.5 W  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 160 (at IC = -150 mA, VCE = -5 V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 100 MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official NXP datasheet.

MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT The BCP53T1 is a PNP bipolar transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Bipolar Transistor  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -100mA, V_CE = -5V)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided for the BCP53T1 by ON Semiconductor.