NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) Here are the factual specifications for the BCP49 manufacturer SIEMENS from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: SIEMENS  
- **Part Number**: BCP49  
- **Type**: Bipolar Transistor (PNP)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.8W  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-250  
- **Package**: TO-92  

These are the confirmed specifications for the BCP49 transistor manufactured by SIEMENS.

NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) The BCP49 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30 V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V  
6. **Collector Current (I_C)**: 1 A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5 W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = 150 mA, V_CE = 1 V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCP49 transistor.