NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) BCP29 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various semiconductor companies, including ON Semiconductor and STMicroelectronics. Below are the key specifications for the BCP29 transistor:

### **Manufacturer Specifications for BCP29:**
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -500 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 350 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 250 (at I_C = -100 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard datasheet information from manufacturers like ON Semiconductor and STMicroelectronics. For exact tolerances and application-specific details, refer to the official datasheet from the manufacturer.

NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) The BCP29 is a component manufactured by Siemens, but specific details about its specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate information, you may need to refer to Siemens' official documentation or product datasheets.