PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) The BCP28 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN BJT  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60 V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 1 A  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1.25 W (at 25°C)  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (at I_C = 0.5 A, V_CE = 1 V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCP28 transistor.