0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 220 The BC860B is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 120–560 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used for amplification and switching applications.

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 220 The BC860B is a PNP general-purpose transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 120–800 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC860B transistor.

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 220 The BC860B is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -1 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160 to 400 (at I_C = -100 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

0.250W General Purpose PNP SMD Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 220 The BC860B is a PNP transistor manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -500 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 330 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 630 (at I_C = -2 mA, V_CE = -5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BC860B transistor.