General Purpose Transistors(PNP Silicon) The BC858ALT1G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Transistor  
- **Package**: SOT-23 (TO-236-3)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 225mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BC858ALT1G.