SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a PNP general-purpose transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BC857B transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by ROHM. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 200mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at VCE = -5V, IC = -2mA)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on ROHM's datasheet for the BC857B transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
- **Collector Current (IC)**: -100 mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at IC = -2 mA, VCE = -5 V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100 MHz (typical)  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BC857B transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by WEITRON. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at IC = -2mA, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23

These specifications are based on WEITRON's datasheet for the BC857B transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by PHI (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 200-450 (at IC = -2mA, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23

These specifications are based on PHI's datasheet for the BC857B.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by PH (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon (Si)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -100mA
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–250 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 200–450 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by various semiconductor companies, including FSC (Fairchild Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Type**: PNP bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 125–800 (depending on grade)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C  

The BC857B is commonly used in amplification and switching applications. FSC (Fairchild Semiconductor) may have provided this part under similar specifications before its acquisition by ON Semiconductor.  

For exact FSC-specific datasheets, refer to historical Fairchild Semiconductor documentation.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BC857B transistor.

SMD Small Signal Transistor PNP Low Noise The BC857B is a general-purpose PNP transistor manufactured by SIEMENS. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–250 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BC857B transistor.