Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC850BW is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Package**: SOT-323 (SC-70)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 100 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125 to 900 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BC850BW transistor.

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC850BW is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.