Bipolar Transistors The BC847BV is a general-purpose NPN transistor manufactured by JIANGSU Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. (JCET). Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110–800 (depending on variant)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications. For exact datasheet details, refer to JCET's official documentation.

Bipolar Transistors The BC847BV is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800 (depending on variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC847BV is commonly used in amplification and switching applications. For exact variant-specific details, refer to the official NXP datasheet.