NPN/PNP general purpose transistor The BC847BPN is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHI (formerly Philips Semiconductors). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-363 (SC-88)  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 110–800 (depending on variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC847BPN is commonly used in amplification and switching applications.