Bipolar Transistors The BC847AW is a general-purpose NPN transistor manufactured by PH (NXP Semiconductors). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (depending on variant)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

It is commonly used in amplification and switching applications.

Bipolar Transistors The BC847AW is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-323 (SC-70)  
3. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
4. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
6. **Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC847AW is commonly used in amplification and switching applications. It is part of NXP's BC847 series, which includes variants with different gain groupings.  

For exact details, refer to the official NXP datasheet.

Bipolar Transistors The BC847AW is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BC847AW transistor from PHILIPS.

Bipolar Transistors The BC847AW is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6 V  
- **Collector Current (IC)**: 100 mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (depending on variant)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC847AW is commonly used in amplification and switching applications. It is part of the BC847 series, which includes multiple gain variants (e.g., BC847A, BC847B, BC847C).  

Let me know if you need additional details.