SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847AT is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: SOT-23 (3-pin)  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800 (depending on variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC847AT is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: Always verify datasheets for the latest specifications.)

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847AT is a general-purpose NPN transistor manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Package**: SOT-23  

It is designed for low-power amplification and switching applications.  

(Source: DIODES Incorporated datasheet for BC847AT.)

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC847AT is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Key specifications include:

- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (group T)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

It is part of the BC847 series, which includes variants grouped by current gain (A, B, C, T). The BC847AT is RoHS compliant.