SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications for BC846B:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor).  
2. **Type:** NPN Bipolar Transistor.  
3. **Package:** SOT-23 (Surface Mount).  
4. **Electrical Characteristics (Typical):**  
   - **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
   - **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 65V  
   - **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
   - **Collector Current (I_C):** 100mA  
   - **DC Current Gain (h_FE):** 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
   - **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
   - **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  

5. **Marking Code:** "1B" (varies by manufacturer).  
6. **RoHS Compliance:** Yes (lead-free).  

For exact FAI requirements, refer to the manufacturer's datasheet or quality control documentation.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company).  

### **Key Specifications (BC846B - KEC):**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 65V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 200–450 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

For exact details, refer to the official KEC datasheet.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor  
- **Package**: SOT23  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 80V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 65V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Vishay. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6 V  
- **Collector Current (I_C)**: 100 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BC846B transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including NXP, ON Semiconductor, and others. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for exact values.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ITT. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BC846B transistor in ITT's product line.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP/Philips. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 80V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 65V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/Philips datasheets for the BC846B transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6 V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are for standard operating conditions unless otherwise noted.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP/ON Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Package**: SOT-23 (3-pin)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/ON Semiconductor's datasheet for the BC846B transistor.

SMD Small Signal Transistor NPN General Purpose Amplifier/Switch The BC846B is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BC846B transistor in NXP's product lineup.