Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC817W is a general-purpose NPN transistor manufactured by DIODES. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA (max)  
- **Power Dissipation (PD)**: 200mW (max)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 600 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on DIODES' datasheet for the BC817W.

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC817W is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 600 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard datasheet values for the BC817W transistor from PHILIPS/NXP.

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC817W is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 600 (varies by variant)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Variants:**  
- BC817W-16 (h_FE: 100-250)  
- BC817W-25 (h_FE: 160-400)  
- BC817W-40 (h_FE: 250-600)  

**Applications:**  
- Switching and amplification in low-power circuits  
- Signal processing  
- Driver stages  

Note: PHILIPS' semiconductor division became NXP Semiconductors in 2006.

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC817W is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 600 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BC817W transistor.