PNP Silicon Transistor (High current application Switching application) The BC808 is a PNP general-purpose transistor manufactured by DIODES Incorporated.  

Key specifications:  
- **Type**: PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -500mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 630 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

The BC808 is designed for general-purpose amplification and switching applications.

PNP Silicon Transistor (High current application Switching application) The BC808 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP epitaxial planar transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 250 (at IC = -150mA, VCE = -1V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC808 transistor.