PNP general purpose double transistor The BC807DS is a PNP transistor manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

1. **Type**: PNP  
2. **Package**: SOT-457 (SC-74)  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -500mA  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 330mW  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 160-400 (at IC = -100mA, VCE = -1V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BC807DS transistor from NXP/Philips.

PNP general purpose double transistor The BC807DS is a PNP transistor manufactured by PHILIPS.  

Key specifications:  
- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160–400 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Package**: SOT-457 (SC-74)  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC807DS transistor.