Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC559 is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the datasheet from Philips (PH).