PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS The BC556B is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -80V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -65V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the BC556B transistor.