0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC547A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **PH** (likely referring to Philips or NXP Semiconductors, as PH was part of their branding).  

### **Key Specifications (BC547A by PH):**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA (continuous)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110–220 (for BC547A variant)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **Transition Frequency (f_T):** ~300MHz  
- **Package:** TO-92  

### **Note:**  
- The "A" suffix indicates a higher current gain range compared to standard BC547.  
- PH (Philips/NXP) datasheets may list slight variations in parameters.  

For exact values, refer to the official **PH (Philips/NXP) datasheet**.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC547A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ITT. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Material**: Silicon (Si)  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
4. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
9. **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (depends on operating conditions)  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on ITT's datasheet for the BC547A transistor.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC547A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

### **Electrical Characteristics (TA = 25°C unless noted otherwise)**  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 100mA (continuous)  
- **DC Current Gain (hFE):** 110–220 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Power Dissipation (PD):** 500mW  
- **Transition Frequency (fT):** 300MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package Type**  
- **TO-92** (plastic-encapsulated, through-hole package)  

### **Pin Configuration (TO-92)**  
1. **Emitter (E)**  
2. **Base (B)**  
3. **Collector (C)**  

The BC547A is commonly used in amplification and switching applications.  

*(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)*

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC547A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOTO). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
6. **Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110–220 (BC547A variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BC547A transistor.