0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC307B is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT) and ON Semiconductor (ON).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -0.5A (max)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** Typically 125 to 800 (varies by operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (min)  
- **Package:** TO-92  

**Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  

**Note:** Always refer to the official datasheet for precise specifications under different operating conditions.

0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC307B is a PNP bipolar junction transistor (BJT).  

**Manufacturer**: FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)  

**Key Specifications**:  
- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–600 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  

**Package**: TO-92 (plastic case)  

**Applications**: General-purpose amplification and switching.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC307B.

0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC307B is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by Motorola. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (min)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 630 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C  

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BC307B transistor.

0.350W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC307B is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 630 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-92** (plastic-encapsulated through-hole package)  

The BC307B is commonly used in amplification and switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)