0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PH (Philips). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BC237B transistor from PH.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Below are its key specifications:  

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

The BC237B is commonly used in amplification and switching applications.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Below are the key specifications from the manufacturer:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–600 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on MOT's datasheet for the BC237B.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **PHILIPS**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–600 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

This information is based on the PHILIPS datasheet for the BC237B transistor.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC237B.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). According to the FSC (Federal Supply Code) specifications, the manufacturer is not explicitly listed in the provided knowledge base. The BC237B is commonly used in amplification and switching applications, with typical parameters including a current gain (hFE) of 200–450, a collector current (IC) of 100 mA, and a collector-emitter voltage (VCEO) of 45 V.  

For precise FSC or military specifications, you would need to consult official documentation such as MIL-SPEC sheets or manufacturer datasheets, as Ic-phoenix technical data files does not provide detailed FSC-specific data for this component.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC237B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the BC237B transistor.