Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring) The BAT64 diode from Infineon is a Schottky barrier diode with the following specifications:

- **Type**: Schottky Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Average Rectified Forward Current (IF(AV))**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 300 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Current (IR)**: 0.2 µA (typical) at 25°C, 10 V
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C
- **Junction Capacitance (CJ)**: 2 pF (typical) at 0 V, 1 MHz

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAT64 diode.

Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping applications Integrated diffused guard ring) The BAT64 is a diode manufactured by SIEMENS. Here are its specifications:  

- **Type**: Schottky diode  
- **Maximum repetitive reverse voltage (V_RRM)**: 40 V  
- **Average forward current (I_F(AV))**: 0.2 A  
- **Peak forward surge current (I_FSM)**: 1 A  
- **Forward voltage drop (V_F)**: 0.39 V (at 0.1 A)  
- **Reverse leakage current (I_R)**: 0.5 µA (at 25 V)  
- **Operating junction temperature range (T_J)**: -65°C to +125°C  
- **Package**: SOD-323 (MiniMELF)  

These are the factual specifications for the BAT64 diode from SIEMENS.